巨亨网新闻中心 2024-05-02 13:29
SK 海力士执行长郭鲁正周四 (2 日) 表示，虽然目前的 AI 是以资料中心为主，但今后可望迅速扩散到智慧型手机、PC、汽车等端侧 AI（On-Device AI），因此，专门用於 AI 的「超高速、高容量、低电力」记忆体需求将会暴增。
郭鲁正在「AI 时代，SK 海力士蓝图和战略」为主题的国内外记者招待会上发表演说。
海力士具备了高频宽记忆体 (HBM)、以 TSV 为基础的高容量 DRAM、高效能 eSSD 等各产品领域的业界最高技术领导力，今后将透过与全球合作伙伴的策略合作，提供为客户量身定做的全球顶级记忆体解决方案。
然而，针对公司当前 HBM 生产方面，郭鲁正表示，今年已经全部售罄，明年也基本售罄。
从 HBM 技术面来看，公司为进一步巩固市场领导力，预计在今年 5 月提供世界最高性能的 12 层堆叠 HBM3E 产品的样品，并准备在第三季度开始量产。
金柱善社长针对「AI 领域记忆体展望」发表演说，他提及 AI 时代全球产生的资料总量预计将从 2014 年的 15ZB 成长到 2030 年的 660ZB。
以 AI 为导向的记忆体收入比重也将大幅增加。 HBM 和高容量 DRAM 模组等面向 AI 的记忆体在 2023 年整个记忆体市场的比例约为 5%(金额为准)，预计到 2028 年可以达到 61%。
DRAM 方面，正在量产 HBM3E 和 256GB 以上的超高容量模组，世界最高速度的 LPDDR5T 也已实现商用。
NAND 方面也在业界唯一提供基於 QLC 的 60TB 以上 SSD 产品等，维持著世界顶级面相 AI 的记忆体供应商地位。
此外，海力士也改进现有产品，推出新一代产品。不仅是 HBM4 和 HBM4E、LPDDR6、300TB SSD，同时还在准备 CXL Pooled（池化）储存解决方案、PIM(Processing-In-Memory) 等创新的记忆体。
关於新工厂的投资，海力士上个月确定在美国印第安纳州西拉斐特建造以 AI 为导向的记忆体先进封装生产基地，该工厂将从 2028 年下半年开始量产新一代 HBM 等面向 AI 的记忆体产品。
三星今年 HBM 供货量将增加 3 倍
无独有偶，南韩三星也宣布今年将全力发展 AI 伺服器半导体业务，包括 HBM 和高容量固态硬碟（SSD），并计划将今年 HBM 出货量提升至去年的 3 倍，并在第二季完成业界最大 64TB SSD 的开发工作。
AI 热潮带来的大容量储存半导体需求激增，让三星电子受益。三星第一季藉由提升高价值 HBM 和伺服器用 SSD 的比例，专注於提高获利能力而不是增加销售量。因此，DRAM 出货量季增季成长了 10% 左右，而 NAND 快闪记忆体出货量略有下降，但 DRAM 的平均售价 (ASP) 上涨了 20%，NAND 快闪记忆体的平均售价上涨了 30% 以上。
眼见伺服器用记忆体半导体订单激增，三星计划全力进军，透过 HBM、双倍资料速率 (DDR) 5 和伺服器用 SSD 瞄准高价值记忆体市场，以扩大其竞争力边缘。
三星今年目标将 HBM 供应量提升至去年的 3 倍，并计划明年再翻倍，第五代 HBM 产品（称为 HBM3E）已於本月开始量产，最早将於第二季度开始为营收做出贡献。
12 层 HBM3E 产品也计划於第二季量产，据了解，这些产品的客户是美国的 AI 加速器公司 AMD (AMD-US)，专门从事资料学习和推理的半导体业务。
三星预计今年下半年 HBM3E 的销售比例将超过 HBM 总销量的三分之二，本季也开始量产伺服器用产品，即基於第五代 10 奈米 32Gb DDR5 的 128GB 产品，以满足客户需求。
三星电子也专注於主导 SSD 市场，计划今年第二季完成超高容量 64TB SSD 的开发。今年伺服器用 SSD 出货量预计将比去年成长 1.8 倍。
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