首页 ＞ 储存产品 > 记忆体 Memory IC
Micron DDR4 eTT Z11B 1x8 3200MHz
|
Micron |
型号 |
容量 |
容量 |
BALL |
尺寸 |
|
DDR4 |
Z11B |
1024x8 |
8G |
78 |
7.5x12mm |
|
BIN1 |
NA |
|
|||
|
BIN2 |
PASS |
3200MHz,1.35V |
|||
|
BIN3 |
PASS |
2666MHz,1.20V |
|||
|
BIN4 |
PASS |
2400MHz,1.20V |
|||
|
BIN5 |
PASS |
2400 MHz |
|||
|
BIN6 |
FAIL |
2400 MHz,Hbit RT |
|||
|
BIN7 |
FAIL |
|
|||
|
BIN8 |
FAIL |
|
|||
Micron DDR4
型号:Z11B
规格:1024x8
容量:8G
Ball数:78
尺寸:7.5x12mm
3200MHz~2400MHz
电压:1.35V~1.2V
Nanya DDR4 eTT 1x8 3200MHz
|
Nanya |
型号 |
容量 |
容量 |
BALL |
尺寸 |
|
DDR4 |
SA41C |
1024x8 |
8G |
78 |
7.5x12mm |
|
BIN1 |
NA |
|
|||
|
BIN2 |
PASS |
3200MHz,16-19-W16 ,1.35V |
|||
|
BIN3 |
PASS |
2666MHz,19-19-W18 ,1.20V |
|||
|
BIN4 |
PASS |
2400MHz, 16-16-W12 ,1.20V |
|||
|
BIN5 |
PASS |
2400 MHz,Hbit |
|||
|
BIN6 |
FAIL |
2400 MHz,Hbit RT |
|||
|
BIN7 |
FAIL |
2400 MHz, IDD FUNCTION FAIL |
|||
|
BIN8 |
FAIL |
OS DC FAIL |
|||
Nanya DDR4
型号:SA41C
规格:1024x8
容量:8G
Ball数:78
尺寸:7.5x12mm
3200MHz~2400MHz
电压:1.35V~1.20
Micron DDR4 eTT Z11C 1x8 3200MHz
|
Micron |
型号 |
容量 |
容量 |
BALL |
尺寸 |
|
DDR4 |
Z11C |
1024x8 |
8G |
78 |
7.5x12mm |
|
BIN1 |
NA |
|
|||
|
BIN2 |
PASS |
3200MHz,16-19-W16 ,1.35V |
|||
|
BIN3 |
PASS |
2666MHz,19-19-W18 ,1.20V |
|||
|
BIN4 |
PASS |
2400MHz, 16-16-W12 ,1.20V |
|||
|
BIN5 |
PASS |
2400 MHz,Hbit |
|||
|
BIN6 |
FAIL |
2400 MHz,Hbit RT |
|||
|
BIN7 |
FAIL |
2400 MHz, IDD FUNCTION FAIL |
|||
|
BIN8 |
FAIL |
OS DC FAIL |
|||
Micron DDR4
型号:Z11C
规格:1024x8
容量:8G
Ball数:78
尺寸:7.5x12mm
3200MHz~2400MHz
电压:1.35V~1.2v
Nanya DDR3 eTT 128x16
|
Nanya |
型号 |
容量 |
容量 |
BALL |
尺寸 |
|
DDR3 |
SA39 |
128x16 |
2G |
96 |
7.5x13mm |
|
BIN1 |
PASS |
1866MHz,CL13,1.35V |
|||
|
BIN2 |
NA |
|
|||
|
BIN3 |
GOOD |
1866MHz,CL13,1.35V |
|||
|
BIN4 |
GOOD |
1600MHz,CL11,1.50V |
|||
|
BIN5 |
GOOD |
1333MHz,CL9,1.50V |
|||
|
BIN6 |
GOOD |
1333MHz,CL9,1.50V |
|||
|
BIN7 |
FAIL |
FAIL |
|||
|
BIN8 |
FAIL |
FAIL |
|||
型号:SA39
规格:128x16
容量:2G
Ball数:96
尺寸:7.5x13mm
1866MHz~1333MHz
Nanya DDR3 eTT 256x16
|
Nanya |
型号 |
容量 |
容量 |
BALL |
尺寸 |
|
DDR3 |
SA30 |
256x16 |
4G |
96 |
8x13mm |
|
BIN1 |
GOOD |
|
|||
|
BIN2 |
GOOD |
|
|||
|
BIN3 |
GOOD |
1866MHz,CL13,1.35V |
|||
|
BIN4 |
GOOD |
1600MHz,CL11,1.50V |
|||
|
BIN5 |
GOOD |
1333MHz,CL9,1.50V |
|||
|
BIN6 |
GOOD |
1333MHz,CL9,1.50V |
|||
|
BIN7 |
FAIL |
FUNCTION FAIL |
|||
|
BIN8 |
FAIL |
OS DC FAIL |
|||
Nanya DDR3 ett
型号:SA30
规格:256x16
容量:4G
Ball数:96
尺寸:8x13mm
1866MHz~1333MHz
电压:1.3V~1.5v
DRAM eTT
DDR3
电压: 1.5V
DR3-1066, DDR3-1333, DDR3-1600, DDR3-1866, DDR3-2133
DDR4
电压: 1.2V (比DDR3更低)
DDR4-2133 (最低)、DDR4-2400, 2666, 2800, 2933, 3000, 3200…
DDR4 Module
DDR4 Module规格
DIMM（Dual In Line Memory Module） :是一般桌电所使用的记忆体尺寸
SO-DIMM（Small Outline DIMM） :则是用於笔记型电脑的记忆体尺寸，它的尺寸比 DIMM 还要短很多。
那什么是RDIMM？什么又是UDIMM呢？
RDIMM即Registered DIMM，表示控制器输出的位址和控制信号经过Reg寄存后输出到DRAM晶片，控制器输出的时钟信号经过PLL后到达各DRAM晶片。
UDIMM即Unbuffered DIMM，表示控制器输出的位址和控制信号直接到达DIMM上的DRAM晶片。
RDIMM：
registered DIMM（Registered Dual In-line Memory Module），带寄存器的双线记忆体模组。Registered记忆体本身有两种工作模式，即 Registered模式和Buffered模式。在支援Registered工作模式的主机板上工作时，Registered记忆体工作於 Registered模式，这时主机板上的位址信号和控制信号会比资料信号先一个时钟周期到达DIMM，送入Register晶片后会在其中停留一个时钟周期，然后在下一个时钟信号的上升沿从Register输出，与此时从主机板上到达DIMM的资料信号一起同时传送到SDRAM。当Registered记忆体工作在普通的主机板上时，为Buffered工作模式，这时所有的信号也基本上是同时到达DIMM再同时传送到SDRAM，Register晶片这时在功能上只相当於一个简单的Buffer，其输入到输出之间是直通的，只简单的起到改善位址信号和控制信号的作用，时序上与Unbuffered记忆体是一样的。 （一般用於伺服器）
UDIMM:
无缓冲双通道记忆体模组 (Unbuffered Dual In-Line Memory Modules，UDIMM).（一般常用的记忆体条，用於一般家商用）
